LED装配过程中必须加强防静电措施,因为操作过程和人体本身都会产生静电,而双电极的LED最易被静电反向击穿,从而严重影响LED的使用寿命甚至使其完全报废。如果防静电环境不是非常完善,可以给LED使用者佩戴防静电腕带(防静电环),并为防静电腕带和操作台设置良好的防静电接地系统、离子风机等设备。双电极的LED在封装时可并联齐纳二极管(稳压二极管)以保护LED。
  LED是用GaN基构成的器件,由于是宽禁带半导体材料,所以其电阻率较高,对于In gaN、 AIGaN、GaN的双异质结构蓝光LED,其ngaN的有源层的厚度一般只有几十纳米。这种LED的两个正、负电极在芯片同一面上,两者之间距离很小,若两端的静电电荷累积到一定值,会将PN结击穿,使其漏电增大,严重时PN结击穿短路,LED失效。正是因为存在静电威胁,所以对于上述结构的LED芯片和器件在加工过程中对加工场地、机器、工具、仪器及员工服裝等均要采取防静电措施,确保不损伤LED。另外,在芯片和器件的包装上也要用防静电的材料。也有从衬底材料、外延结构和芯片结构上改进的,这在很大程度上解决了防静电击穿的问题,例如,用SC做衬底,使P和N的两个电极从两个面引出,可以在较大程度上解决这一问题;再如,用 Flip-Chip,在 LED PN结的硅片上制作两个背对背稳压管钳位以保护 LED PN结不受静电威胁。当然,从应用角度讲,在使用LED时也可以加装保护电路。
  ESD普遍被认为是许多半导体器件制造、运输和装卸过程中的一种常见危害。通常静电放电模型有人体模式、机器模式。如(人体模式)人体活动时身体与衣服之间的摩擦产生摩擦电荷,当人们接触静电敏感装置而不事先泄放电荷到大地,电荷将会移向ESD敏感的装置(LED为对静电极其敏感的电子元器件)而造成损坏。
  人体静电对LED的损害也是很大的,工作时应穿防静电服装,佩戴静电环,静电环应接地良好。静电放电的电压一般为几千伏。而碳化硅衬底芯片的ESD值只有1100V,蓝宝石衬底芯片的ESD值就更低,只有500~600V。一个好的芯片或LED,如果用手去拿(身体未采取任何防护措施),则芯片或LED将受到不同程度的损害。